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  • 英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2 英飛凌科技股份公司推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比,英飛凌全新的CoolSiC?MOSFET650V和1200VGeneration2技術在確保質量和可靠性...
    發布時間:2024-04-09 20:40 點擊次數:5 次
  • 英飛凌全新4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊讓驅動器實現尺寸小型化 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出了4.5kVXHP?3IGBT模塊,旨在從根本上改變采用兩電平和三電平拓撲結構且使用2000V至3300V交流電壓的中壓變頻器(MVD)與交通運輸應用...
    發布時間:2023-12-26 20:57 點擊次數:5 次
  • 英飛凌推出62 mm封裝CoolSiC產品組合,實現高效率和功率密度 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H...
    發布時間:2023-11-30 16:30 點擊次數:4 次
  • 英飛凌推出第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX:IFNNY)推出分立式650VIGBT7H7新品,進一步擴展其第七代TRENCHSTOP?IGBT產品陣容。全新器件配備**的EC7共封裝二極管,先進的發射器控制設計結合...
    發布時間:2023-10-11 21:20 點擊次數:3 次
  • 英飛凌擴展1200 V 62 mm IGBT7 產品組合,推出全新電流額定值模塊 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出搭載1200VTRENCHSTOP?IGBT7芯片的62mm半橋和共發射極模塊產品組合。模塊的*大電流規格高達800A,擴展了英飛凌采用成熟的62mm...
    發布時間:2023-08-08 21:20 點擊次數:4 次
  • 發布時間:2023-02-16 10:56 點擊次數:478 次
  • 英飛凌第7代IGBT7 英飛凌第7代IGBT7 亮點開發出的芯片由IGBT7和EC(發射極-控制)7二極管組成,能*好地滿足變頻通用驅動(GPD)的所有需求。具有優良的控制能力,在所有與應用有關的電流等級下具有足夠的軟度,靜態損耗大幅降低,且抗短...
    發布時間:2022-12-15 11:24 點擊次數:710 次
  • 新潔能功率半導體命名規則介紹 新潔能致力于推廣性能**、質量穩定并且**價格競爭力的全系列MOSFET產品。我們為電路設計師們提供**的產品選擇,擊穿電壓覆蓋-200V至300V,配合先進的封裝技術,為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們專注...
    發布時間:2022-12-14 18:09 點擊次數:687 次
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